記憶體

出自KMU Wiki

(修訂版本間差異)
跳轉到: 導航, 搜索
在2008年8月23日 (六) 21:53所做的修訂版本 (編輯)
Itchen (對話 | 貢獻)
(快閃記憶體(Flash memory))
←上一個
當前修訂版本 (2016年5月6日 (五) 11:50) (編輯) (撤銷)
Bcc (對話 | 貢獻)
(快閃記憶體(Flash memory))
 
(1個中途的修訂版本沒有顯示。)
第19行: 第19行:
* [[DDR2]] DRAM (240 pins) * [[DDR2]] DRAM (240 pins)
* [[DDR3]] DRAM (240 pins) * [[DDR3]] DRAM (240 pins)
 +* [[DDR4]] DRAM (284 pins)
* [[GDDR4]] DRAM * [[GDDR4]] DRAM
* [[GDDR5]] DRAM * [[GDDR5]] DRAM
第31行: 第32行:
-* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9MB/s+* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
-* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5MB/s+* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s
== [[記憶卡]] == == [[記憶卡]] ==

當前修訂版本

記憶體分類

  • 唯讀記憶體(Read Only Memory,簡稱ROM): 用燒錄方式寫入, 一般使用時, 僅能讀取不能寫入, 如BIOS
  • 隨機存取記憶體(Random Access Memory,簡稱RAM) :分為主記憶體(Main Memory)及快取記憶體(Cache Memory)。

目錄

[編輯] 唯讀記憶體 ROM

[編輯] 隨機存取記憶體 RAM

[編輯] 快閃記憶體(Flash memory)

普通EEPROM只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比EEPROM快. 可做為mp3 Player, 固態硬碟, 隨身碟記憶卡等使用.

  • NOR Flash一萬到一百萬次抹寫循環
  • NAND Flash較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此


  • SLC Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
  • MLC Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s

[編輯] 記憶卡