記憶體

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* [[DDR2]] DRAM (240 pins) * [[DDR2]] DRAM (240 pins)
* [[DDR3]] DRAM (240 pins) * [[DDR3]] DRAM (240 pins)
 +* [[DDR4]] DRAM (284 pins)
* [[GDDR4]] DRAM * [[GDDR4]] DRAM
* [[GDDR5]] DRAM * [[GDDR5]] DRAM
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普通[[EEPROM]]只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比[[EEPROM]]快. 可做為mp3 Player, [[固態硬碟]], [[隨身碟]]及[[記憶卡]]等使用. 普通[[EEPROM]]只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比[[EEPROM]]快. 可做為mp3 Player, [[固態硬碟]], [[隨身碟]]及[[記憶卡]]等使用.
-* [[NAND Flash]]+* [[NOR Flash]]一萬到一百萬次抹寫循環
-* [[NOR Flash]]+* [[NAND Flash]]較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此
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 +* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
 +* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s
== [[記憶卡]] == == [[記憶卡]] ==

當前修訂版本

記憶體分類

  • 唯讀記憶體(Read Only Memory,簡稱ROM): 用燒錄方式寫入, 一般使用時, 僅能讀取不能寫入, 如BIOS
  • 隨機存取記憶體(Random Access Memory,簡稱RAM) :分為主記憶體(Main Memory)及快取記憶體(Cache Memory)。

目錄

[編輯] 唯讀記憶體 ROM

[編輯] 隨機存取記憶體 RAM

[編輯] 快閃記憶體(Flash memory)

普通EEPROM只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比EEPROM快. 可做為mp3 Player, 固態硬碟, 隨身碟記憶卡等使用.

  • NOR Flash一萬到一百萬次抹寫循環
  • NAND Flash較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此


  • SLC Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
  • MLC Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s

[編輯] 記憶卡