記憶體
出自KMU Wiki
(修訂版本間差異)
| 在2008年8月23日 (六) 21:53所做的修訂版本 (編輯) Itchen (對話 | 貢獻) (→快閃記憶體（Flash memory）) ←上一個 |
在2016年2月20日 (六) 11:12所做的修訂版本 (編輯) (撤銷) Bcc (對話 | 貢獻) (→隨機存取記憶體 RAM) 下一個→ |
||
| 第19行： | 第19行： | ||
| * [[DDR2]] DRAM (240 pins) | * [[DDR2]] DRAM (240 pins) | ||
| * [[DDR3]] DRAM (240 pins) | * [[DDR3]] DRAM (240 pins) | ||
| + | * [[DDR4]] DRAM (284 pins) | ||
| * [[GDDR4]] DRAM | * [[GDDR4]] DRAM | ||
| * [[GDDR5]] DRAM | * [[GDDR5]] DRAM | ||
在2016年2月20日 (六) 11:12所做的修訂版本
記憶體分類
- 唯讀記憶體(Read Only Memory，簡稱ROM): 用燒錄方式寫入, 一般使用時, 僅能讀取不能寫入, 如BIOS
- 隨機存取記憶體(Random Access Memory，簡稱RAM) :分為主記憶體(Main Memory)及快取記憶體(Cache Memory)。
目錄 |
唯讀記憶體 ROM
隨機存取記憶體 RAM
- Ram (30 pins)
- EDO RAM (72 pins)
- SDRAM (168 pins)
- DDR DRAM (184 pins)
- DDR2 DRAM (240 pins)
- DDR3 DRAM (240 pins)
- DDR4 DRAM (284 pins)
- GDDR4 DRAM
- GDDR5 DRAM
- RamBus (168 pins)
快閃記憶體（Flash memory）
普通EEPROM只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比EEPROM快. 可做為mp3 Player, 固態硬碟, 隨身碟及記憶卡等使用.
- NOR Flash一萬到一百萬次抹寫循環
- NAND Flash較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此
- SLC Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9MB/s
- MLC Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5MB/s
記憶卡
- CF(Compact Flash)
- SmartMedia
- MMC(MultiMediaCard)
- SD(Secure Digital)
- Memory Stick
- xD
- miniSD
