記憶體

出自KMU Wiki

在2008年2月22日 (五) 15:37所做的修訂版本 (編輯) Itchen (對話 | 貢獻) ←上一個		當前修訂版本 (2016年5月6日 (五) 11:50) (編輯) (撤銷) Bcc (對話 | 貢獻) (→快閃記憶體（Flash memory）)
(2個中途的修訂版本沒有顯示。)
第19行：		第19行：
	* [[DDR2]] DRAM (240 pins)		* [[DDR2]] DRAM (240 pins)
	* [[DDR3]] DRAM (240 pins)		* [[DDR3]] DRAM (240 pins)
		+	* [[DDR4]] DRAM (284 pins)
	* [[GDDR4]] DRAM		* [[GDDR4]] DRAM
	* [[GDDR5]] DRAM		* [[GDDR5]] DRAM
第27行：		第28行：
	普通[[EEPROM]]只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比[[EEPROM]]快. 可做為mp3 Player, [[固態硬碟]], [[隨身碟]]及[[記憶卡]]等使用.		普通[[EEPROM]]只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比[[EEPROM]]快. 可做為mp3 Player, [[固態硬碟]], [[隨身碟]]及[[記憶卡]]等使用.
-	* [[NAND Flash]]	+	* [[NOR Flash]]一萬到一百萬次抹寫循環
-	* [[NOR Flash]]	+	* [[NAND Flash]]較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此
		+
		+
		+	* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
		+	* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s
	== [[記憶卡]] ==		== [[記憶卡]] ==

---

當前修訂版本

記憶體分類

• 唯讀記憶體(Read Only Memory，簡稱ROM): 用燒錄方式寫入, 一般使用時, 僅能讀取不能寫入, 如BIOS
• 隨機存取記憶體(Random Access Memory，簡稱RAM) :分為主記憶體(Main Memory)及快取記憶體(Cache Memory)。

目錄 1 唯讀記憶體 ROM 2 隨機存取記憶體 RAM 3 快閃記憶體（Flash memory） 4 記憶卡

[編輯] 唯讀記憶體 ROM

• ROM:
• PROM:
• EPROM:
• EEPROM:

[編輯] 隨機存取記憶體 RAM

• Ram (30 pins)
• EDO RAM (72 pins)
• SDRAM (168 pins)
• DDR DRAM (184 pins)
• DDR2 DRAM (240 pins)
• DDR3 DRAM (240 pins)
• DDR4 DRAM (284 pins)
• GDDR4 DRAM
• GDDR5 DRAM
• RamBus (168 pins)

[編輯] 快閃記憶體（Flash memory）

普通EEPROM只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比EEPROM快. 可做為mp3 Player, 固態硬碟, 隨身碟及記憶卡等使用.

• NOR Flash一萬到一百萬次抹寫循環
• NAND Flash較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此

• SLC Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
• MLC Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s

[編輯] 記憶卡

• CF(Compact Flash)
• SmartMedia
• MMC(MultiMediaCard)
• SD(Secure Digital)
• Memory Stick
• xD
• miniSD