記憶體

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	* [[DDR2]] DRAM (240 pins)		* [[DDR2]] DRAM (240 pins)
	* [[DDR3]] DRAM (240 pins)		* [[DDR3]] DRAM (240 pins)
		+	* [[DDR4]] DRAM (284 pins)
	* [[GDDR4]] DRAM		* [[GDDR4]] DRAM
	* [[GDDR5]] DRAM		* [[GDDR5]] DRAM
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-	* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9MB/s	+	* [[SLC]] Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
-	* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5MB/s	+	* [[MLC]] Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s
	== [[記憶卡]] ==		== [[記憶卡]] ==

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當前修訂版本

記憶體分類

• 唯讀記憶體(Read Only Memory，簡稱ROM): 用燒錄方式寫入, 一般使用時, 僅能讀取不能寫入, 如BIOS
• 隨機存取記憶體(Random Access Memory，簡稱RAM) :分為主記憶體(Main Memory)及快取記憶體(Cache Memory)。

目錄 1 唯讀記憶體 ROM 2 隨機存取記憶體 RAM 3 快閃記憶體（Flash memory） 4 記憶卡

[編輯] 唯讀記憶體 ROM

• ROM:
• PROM:
• EPROM:
• EEPROM:

[編輯] 隨機存取記憶體 RAM

• Ram (30 pins)
• EDO RAM (72 pins)
• SDRAM (168 pins)
• DDR DRAM (184 pins)
• DDR2 DRAM (240 pins)
• DDR3 DRAM (240 pins)
• DDR4 DRAM (284 pins)
• GDDR4 DRAM
• GDDR5 DRAM
• RamBus (168 pins)

[編輯] 快閃記憶體（Flash memory）

普通EEPROM只允許單線程重寫數據, 快閃記憶體允許多線程重寫, 所以比EEPROM快. 可做為mp3 Player, 固態硬碟, 隨身碟及記憶卡等使用.

• NOR Flash一萬到一百萬次抹寫循環
• NAND Flash較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小, 現記憶卡多數用此

• SLC Single Level Cell, 每個單元只儲存1位元(0, 1)的資訊。寫入速度 9~550MB/s
• MLC Multi Level Cell, 每個單元可以儲存1位元以上(例如00, 01, 10, 11)的資料。寫入速度 1.5~90MB/s

[編輯] 記憶卡

• CF(Compact Flash)
• SmartMedia
• MMC(MultiMediaCard)
• SD(Secure Digital)
• Memory Stick
• xD
• miniSD