MLC
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(修訂版本間差異)
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當前修訂版本
Single Level Cell—SLC：單層式儲存，一個記憶單元只存放一個位元 (0,1兩個狀態)
Multi Level Cell—MLC：多層式儲存，一個單元可以存放多個電位狀態， 以 2 bits 為例, 有00, 01, 10, 11 四個狀態
MLC架構的儲存密度較高, 生産成本較低
SLC 由三星(samsung)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、東芝(toshiba)等使用 MLC
| SLC | MLC | |
| Access Time | 25us | 70us |
| Read/Write | 100,000 | 10,000 |
| Read Data Rate | 25 ~ 260 MB/s | 20 ~ 250 MB/s |
| Write Data Rate | 9 ~ 170 MB/s | 1.5 ~ 70 MB/s |
| 工作電壓 | 3.3V/1.8V | 3.3V |
